Pregled izdelka
Nice-Tech je uvedel tri modele PECVD-Depomerits PE 100, PE 200 in PE 300-in skupaj tvorijo matriko izdelkov, ki pokriva vse ključne scenarije: od laboratorijskih raziskav do majhnih-serij, vse do obsežne masovne proizvodnje.
Najboljši del teh treh? Imajo enake zmogljivosti-trdnega jedra, zato ne boste imeli težav z združljivostjo. Ne glede na to, ali delate s 6-palčnimi, 8{-palčnimi ali 12-palčnimi podlagami, bodo kos temu. Tudi glede materiala so vsestranski - Si, SiC, GaAs, GaN, celo steklene rezine, vsi delujejo brezhibno.
Procesna temperatura je še ena močna stran: 75 do 420 stopinj, s stalnim nadzorom, kar pomeni, da se spopadejo tako z običajnimi opravili PECVD kot s tistimi zapletenimi nizko{2}}temperaturnimi procesi, ki zahtevajo dodatno natančnost. Nič več preklapljanja med različnimi sistemi za posebne naloge.
Vendar niso enake-velikosti-za-vse. Vsak model je prilagojen posebnim potrebam-nekateri za malo-zapleteno raziskovalno in razvojno delo, drugi za visoko{6}}zmogljive proizvodne linije. Ne glede na to, ali šele začenjate z-izkusi v zgodnji fazi ali vodite živahno tovarno, je serija C180 pravšnja za vas.
Prednosti
1. Prilagodljivost scenarija: Popolna-pokritost povezave
PE 100 (Znanstvene raziskave)
Kompaktna zasnova, prihrani prostor na tleh, brez zapletenih pomožnih komor. Omogoča hitro uvajanje v laboratorij, ustreza malim-serijam, več-različnim potrebam po raziskavah in razvoju ter zmanjša naložbe v prostor/stroške.
PE 200 (malo-serijska proizvodnja)
Uravnoteži zmogljivost in velikost za MSP. Podpira osnovno predobdelavo substrata in poravnavo ter izpolnjuje zahteve "nizek vnos, visoka stabilnost procesa".
PE 300 (-velikoserijska proizvodnja)
Konfiguracija polne množične-proizvodnje. Poveča učinkovitost prenosa substrata in zmogljivost hlajenja ter poveča izhod. Stabilno podpira zapletene procese z dolgim-ciklom za potrebe visoke-zmogljivosti in visoke-stabilnosti.
2. Zmogljivosti osnovnega procesa: nizka temperatura, nizka škoda, visoka prilagodljivost
Nizki-postopki škode
Prevodni vmesnik SHD po meri + RF napajalnik AE 13,56 MHz (funkcija HALO). Izhodna moč najmanj 15 W, gostota moči 0,016 W/cm²-preprečuje poškodbe naprave, kar je idealno za občutljive polprevodnike.
Nastavljivost napetosti
AE dvofrekvenčni-RF (13,56MHz + 400KHz). Postopek SiN, ki temelji na SiH4-, dosega obseg napetosti +500~-1000MPa, kar ustreza zahtevam glede napetosti filma, specifične za napravo.
Visoka enotnost in združljivost
Nastavljiva premična stopnica zagotavlja enakomernost debeline filma. Plinska plošča IGS (10x plinovod + TEOS) podpira USG na osnovi SiH4-SiO/SiN in USG na osnovi TEOS v eni komori, kar skrajša čas preklopa.
Aplikacije
- Znanstvene raziskave (pod vodstvom PE 100):Ta je za univerze, raziskovalne inštitute in podjetja,-osredotočena na raziskave in razvoj. Ne glede na to, ali izvajate osnovne študije PECVD, preizkušate filmske lastnosti novih materialov (kot so polprevodniki III-V) ali preverjate strukture naprav MEMS-, daje raziskovalnim skupinam stabilno in zanesljivo laboratorijsko platformo.
- Srednja in majhna-proizvodnja (PE 200-led):Popoln za mala in srednja polprevodniška podjetja. Ukvarja se z majhnimi-serijskimi serijami napajalnih naprav in pasivnih fotonskih naprav ter procesov, kot sta BPSG in FSG za filtre TC-SAW. Sladka točka? Uravnoteženje ravno pravšnje zmogljivosti s prihranki stroškov.
- Velika{1}}proizvodnja (PE 300-led):Ustvarjen za velike igralce,-največje proizvajalce IC, fotovoltaičnih modulov in naprednih proizvajalcev MEMS. Poganja množično proizvodnjo ključnih komponent: TSV obloge, bakrene difuzijske pregrade in PV -Si filmi. In ustreza zahtevam visoke-stabilne folije tudi na področjih AP, ki pokriva vse od osnovnih naprav do vrhunske-proizvodnje.
Parametri
|
Kategorija |
Parameter |
Podrobnosti |
|
Združljivost substrata |
Velikost oblatov |
6-palčni / 8-palčni / 12-palčni (združljivo s standardno debelino in lepilno odebeljenimi rezinami) |
|
Material substrata |
Si, SiC, GaAs, GaN, steklene rezine |
|
|
Nadzor temperature |
Temperaturno območje procesa |
75 stopinj ~ 420 stopinj (zajema nizko-temperaturne in običajne postopke, izpolnjuje zahteve glede združljivosti postopkov SEMI) |
|
V-Enomernost temperature rezin |
< 3℃ (for 6-inch/8-inch wafers, based on 1-Piece AlN-coated Platen) |
|
|
Vakuumski in plinski sistem |
Konfiguracija plinske plošče |
Plinska plošča IGS, podpira do 10× plinovodov + TEOS |
|
Združljivost s procesnim plinom |
SiH₄, N₂O, NH3, N₂, H₂, B₂H₆, PH3, SiF4, O₂, He, Ar, NF3 |
|
|
Raven vakuuma |
Osnovni tlak Manjši ali enak 5×10⁻⁶ Torr; Razpon procesnega tlaka: 1~10 Torr (glede na standard SEMI E113) |
|
|
Radiofrekvenčni (RF) sistem |
Vrsta RF napajalnika |
Dvo{0}}frekvenčni RFG AE (HF + LF), skladen z merili učinkovitosti SEMI E113 |
|
Frekvenca in razpon moči |
HF: 13,56 MHz (5~3000 W, podpira funkcijo HALO); LF: 400 KHz (300~500 KHz nastavljivo, 15~1250W) |
|
|
Ključne komponente |
Tuš glava (SHD) |
350 mmØ popolna pokritost; poseben prevodni vmesnik; združljiv z več-procesnimi zahtevami |
|
Platen |
1-Kos AlN-prevlečen; Nastavljiva razdalja plošče SHD (6~20 mm) za optimizacijo postopka |
pogosta vprašanja
V: Katere velikosti substratov in materiali so združljivi s serijo PECVD?
O: Vsi modeli (PE 100/PE 200/PE 300) podpirajo 6-palčne, 8-palčne in 12-palčne rezine (vključno z rezinami standardne debeline in z lepljenjem odebeljene), združljive s Si, SiC, GaAs, GaN in steklenimi rezinami.
V: Kakšno je temperaturno območje teh naprav?
O: Temperatura se giblje med 75 in 420 stopinjami, kar pokriva nizke-temperaturne zahteve in običajne procesne zahteve PECVD.
V: Kako se trije modeli razlikujejo v scenarijih uporabe?
A: PE 100 (kompaktna zasnova) je za raziskave in razvoj; PE 200 (3 PM komore) ustreza malo-serijski proizvodnji; PE 300 (4 PM komore + dvojni Loadlock) je optimiziran za veliko-serijsko proizvodnjo.
V: Katere glavne procesne prednosti ponujajo naprave?
O: Ključne prednosti vključujejo nizko-poškodbo (min. 15W RF izhod), nastavljivost napetosti (+500~-1000 MPa za SiN na osnovi SiH₄) in visoko enakomernost filma (<3% 1σ for 8-inch wafers).
V: Katere čistilne rešitve so na voljo za komore?
A: Optional MKS Paragon RPS system with NF₃ gas (dissociation rate >95 %), čiščenje SiO na osnovi SiH₄-pri ~4,2 μm/min; Podprto je tudi tradicionalno čiščenje in-na mestu CF₄-.
V: Koliko plinovodov podpirajo naprave?
O: Opremljen s plinsko ploščo IGS, ki podpira do 10× plinovodov + TEOS za več-procesno združljivost.
Priljubljena oznake: pecvd oprema, Kitajska pecvd oprema proizvajalci, dobavitelji
