Fotorezist je mešanica polimerov in nekaterih spojin, med katerimi je najpomembnejši fotokislinski generator (PAG). Ko fotoni zadenejo PAG, nastane kislina, ki reagira s polimerom, ga razgradi in povzroči, da ga razvijalec raztopi.
Fotolitografski fotorezist običajno delimo na dve vrsti: pozitivni fotorezist in negativni fotorezist.
Pozitivni fotorezist: izpostavljeni del je topen v raztopini razvijalca, medtem ko je neosvetljeni del netopen v raztopini razvijalca. Po razvijanju je preostali vzorec fotorezista na substratu enak ciljnemu vzorcu na maski.
Negativni fotorezist: izpostavljeni del je netopen v raztopini razvijalca, medtem ko je neosvetljeni del topen v raztopini razvijalca. Preostali vzorec fotorezista na substratu po razvijanju je komplementaren ciljnemu vzorcu na plošči maske.
Zato pri pozitivnem fotorezistu z jedkanjem podlage brez zaščite fotorezista po končani fotolitografiji in končnim izpiranjem preostalega fotorezista dosežemo enostopenjski-postopek gradnje polprevodniških naprav na površini substrata.
