Čiščenje rezin se nanaša na postopek uporabe kemičnih ali fizikalnih metod za odstranjevanje kontaminantov in oksidov s površine rezin med proizvodnjo integriranih vezij, da se izpolnijo zahteve glede čistoče površine rezin. Princip čiščenja rezin je, da odstranimo različne nečistoče, ne da bi pri tem poškodovali rezino.
Obstajajo štirje glavni mehanizmi za odstranjevanje delcev: raztapljanje, oksidativna razgradnja, električno odbijanje med delci in površinami silicijevih rezin ter rahla korozija površin silicijevih rezin.
Za odstranjevanje kovinskih delcev se običajno uporablja raztopina SC-2 ali raztopina HPM za zmanjšanje vsebnosti kovine na površini rezin. Raztopina SC-2 je podvržena kristalizaciji, kar lahko poveča število delcev na površini rezin po čiščenju. Zato lahko za učinkovito odstranjevanje kovinskih delcev namesto raztopine SC-2 uporabite HF v kombinaciji s HF ali pa O3 v kombinaciji s HF.
Za odstranjevanje organskih onesnaževal se običajno uporablja raztopina SPM ali UV/ozon kemično čiščenje.
Po mokrem čiščenju je treba rezino pred naslednjim postopkom temeljito posušiti, da na površini ni madežev vode. Trije najpogostejši načini sušenja, ki so trenutno na voljo, so rotacijsko sušenje, sušenje Marangoni in sušenje z vročo atomizacijo izopropanola.
