POVZETEK
Izbira sistema za litografijo brez maske (neposredno-zapisovanje) je ena najbolj strateških odločitev za napreden čistilni objekt. Medtem ko tehnologija brez maske odpravlja stroške nabave fizičnih fotomask (prihranek na tisoče dolarjev na revizijo) in skrajša cikle preobrata zasnove s tednov na minute, izbira opreme pogosto trpi zaradi temeljnega nerazumevanja tehničnih specifikacij.
Procesni inženirji in ekipe za nabavo pogosto ocenjujejo stroje samo na podlagi ene same številke "najmanjša velikost funkcije" na podatkovnem listu prodajalca. Vendar pa v fiziki fotolitografije izolirana kritična dimenzija (CD) in gosta minimalna periodična višina črte/prostora (L/S) predstavljata povsem različna optična režima:
• Kritična dimenzija (CD) definira najožjo izolirano lastnost (kot so izolirana tranzistorska vrata ali kontaktni trak), ki jo lahko optični sistem izpostavi fotorezistu.
• Minimum Line/Space (L/S) definira najmanjšo ponavljajočo se linijo 1:1 in periodični niz (kot so goste optične rešetke ali medsebojna povezovalna vodila z visoko-gostoto), ki jih lahko sistem očisti brez premoščanja, izločanja ali popačenja bližine.
Stroj, ki lahko natisne 0,4 μm izoliran CD, lahko zahteva minimalno 0,8 μm črte/presledka pri vzorčenju gostih periodičnih nizov zaradi učinkov optične bližine zračne slike, prekrivanja-odmerka snopa in pragov odpornosti proti kontrastu. Nasprotno pa lahko specializirani optični sistemi, zasnovani za simetrično modulacijo 1:1, razrešijo 0,5 μm CD hkrati z 0,5 μm vrstica/prostor.
Ta vodnik ponuja strog inženirski okvir za ocenjevanje brezmaskiranih litografskih sistemov Nice-Tech (MLM 100, MLM 200, MLM 400 in MLM 500) glede na natančno geometrijo vaše naprave, odpornost proti kemiji, globino ostrenja (DOF) in zahteve glede prepustnosti čistih prostorov.
1. UVOD: ZAKAJ GEOMETRIJA NAREKUJE IZBIRO OPREME
V čistih prostorih za mikroizdelovanje so sistemi litografije brez maske (znani tudi kot litografija z neposrednim{0}}pisom, projekcija z digitalno mikrozrcalno napravo [DMD] ali sistemi prostorskega modulatorja svetlobe [SLM]) preoblikovali hitro izdelavo prototipov, izdelavo sestavljenih polprevodnikov in nizko-do-srednjeserijsko proizvodnjo. Z odpravo fizičnega kroma-na-kvarčnih fotomaskah lahko inženirske ekipe ponavljajo načrte (datoteke GDSII ali OASIS) v realnem času.
Vendar pa je za izbiro pravega stroja treba pogledati mimo trženjskih trditev-na ravni. Ko bodoči kupci povprašujejo o zmogljivostih opreme, je najpogostejša poizvedba preprosto: "Kakšna je ločljivost tega stroja?"
V proizvodni litografiji "ločljivost" ni ena številka. Optični motor se pri osvetlitvi ene izolirane črte obnaša drugače kot pri osvetlitvi več sto sosednjih vzporednih linij, ki so razmaknjene v mikrometrih. Izbira konfiguracije opreme, ki temelji na izoliranem CD-ju, ko vaša naprava zahteva goste rešetke, neizogibno vodi do okvare postopka-, kar ima za posledico premoščanje linij, uporne podlage ali strnjena razmerja stranic. Nasprotno pa preveč-določanje sistema za goste pod-pol-mikronske črte, ko vaša naprava vsebuje samo 1,5 μm usmerjevalne sledi, dodaja nepotrebne kapitalske izdatke in drastično zmanjša prepustnost rezin.
Za premišljeno kapitalsko naložbo B2B morajo kupci razčleniti fizične razlike med CD-jem in črto/prostorom, jih preslikati neposredno na specifikacije opreme prodajalca in oceniti temeljne optične kompromise-.
2. KLJUČNA RAZLIKA: IZOLIRANI CD VS. GOSTA ČRTA/PRESTOR
Razumevanje, zakaj orodja za optično neposredno-zapisovanje poročajo o različnih vrednostih za izoliran CD in gosto črto/prostor, zahteva preučitev fizike oblikovanja zračne slike, učinkov optične bližine in kemije fotorezistentov.
2.1 Kaj je kritična dimenzija (CD)?
V polprevodniškem meroslovju se kritična dimenzija nanaša na dimenzionalno najbolj občutljiv geometrijski element znotraj integriranega vezja ali naprave MEMS. Običajno se CD nanaša na izolirano funkcijo:
• Izoliran vratni prst na tranzistorju z visoko--mobilnostjo elektronov (HEMT) iz galijevega nitrida (GaN).
• Izoliran greben optičnega valovoda v integriranem fotonskem vezju.
• Izolirana kontaktna odprtina ali konzolni tečaj v senzorju MEMS.
Pri osvetlitvi izolirane črte v sistemu brez maske optični motor koncentrira energijo osvetlitve na ozek pas fotorezista. Ker v neposredni bližini ni sosednjih izpostavljenih vzorcev, se razpršena razpršena svetloba (uklonske stran-režnji) neškodljivo razprši v temno polje. Z natančnim umerjanjem odmerka izpostavljenosti, numerične aperture in razvojnega časa lahko sodoben sistem za neposredno-zapisovanje doseže izjemno fine izolirane vrednosti CD-pogosto do 0,4 μm.
2.2 Kaj je najmanjša vrstica/presledek (L/S)?
Nasprotno pa se minimalna vrstica/presledek nanaša na gosto paleto izmeničnih črt in presledkov, ki so običajno konfigurirani v razmerju naklona 1:1 (enaka širina črte in razmik v jarek):
• Optične uklonske rešetke, fotonski kristali in laserska zrcala s porazdeljeno povratno zvezo (DFB).
• Biosenzorji z interdigitirano elektrodo (IDE) in nizi mikroelektrod (MEA)- z visoko gostoto.
• Gosta metalizacija in usmerjanje vodila v napredni embalaži.
Ko optični motor projicira več tesno razporejenih žarkov ali moduliranih mikrozrcalnih slikovnih pik, se svetlobni valovi iz sosednjih črt prekrivajo zaradi optične difrakcije. Ta optični presluh ustvari povišano "intenzivnost ozadja" znotraj neizpostavljenega jarka med črtami.
Optični kontrast slike iz zraka je definiran s funkcijo prenosa modulacije (MTF):
Kontrast=(I_max - I_min) / (I_max + I_min)
Ko se višina zaostri, se I_min (intenzivnost v temnem prostoru) znatno dvigne nad nič zaradi učinkov optične bližine. Če kontrast slike iz zraka pade pod prag kemičnega kontrasta fotorezista, fotorezist ne more razlikovati med izpostavljeno črto in neosvetljenim jarkom. To povzroči klasične napake čistih prostorov:
• Odpor na premoščanje: Nepopoln razvoj, kjer se sosednje črte združijo.
• Odpornost proti peni: ostanki fotorezista, ki ostanejo v tleh jarka.
• Zrušitev vzorca: mehanska okvara gostih upornih linij z visokim-razmerjem-visokega razmerja med sušenjem s topilom.
2.3 Zakaj MLM 200 doseže 0,4 μm CD, vendar 0,8 μm vrstica/presledek?
Odličen primer tega fizičnega kompromisa-je viden v modelu MLM 200 družbe Nice-Tech:
• Kritična dimenzija (izolirana): 0,4 μm
• Najmanjša vrstica/presledek (gosto 1:1): 0,8 μm
Ta profil parametrov je pogost pri visoko{0}}natančni-litografiji z neposrednim pisanjem. MLM 200 uporablja usmerjen mehanizem za optično dostavo, ki lahko zapiše ultra-fine izolirane značilnosti do 0,4 μm. Ko pa črte postavite eno-drugo-v gosto mrežo 1:1, optično prelivanje bližine zahteva najmanjši razmik 0,8 μm, da se zagotovi zadosten optični kontrast (I_max v primerjavi z I_min), da se jarek popolnoma očisti brez premostitve.
Za razvijalce RF napajalnih naprav, ki oblikujejo 0,4 μm GaN HEMT vrata s širokim izvorom-razmikom odtokov (2 μm do 5 μm), je MLM 200 optimalen. Vendar, če ta isti razvijalec poskuša natisniti 0,4 μm / 0,4 μm gosto mrežo (0,8 μm poln korak), se bo optični kontrast poslabšal, kar bo povzročilo odpornost na premoščanje, razen če je izbran optični sistem, posebej optimiziran za goste nize 1:1.
2.4 Zakaj MLM 500 dosega 0,5 μm CD in simetrično 0,5 μm vrstica/presledek?
V nasprotju s tem ima Nice-Tech MLM 500 naslednje funkcije:
• Kritična dimenzija (izolirana): 0,5 μm
• Najmanjša vrstica/presledek (gosto 1:1): 0,5 μm
MLM 500 vključuje projekcijski sistem z visoko-numerično{2}}odprtostjo (visoka-NA) v kombinaciji z napredno prostorsko modulacijo svetlobe in kompenzacijo robov pod-pikslov. Ta optična konfiguracija ohranja visok kontrast MTF tudi pri ozkih optičnih frekvencah, kar omogoča močan padec svetlobne intenzivnosti v temnih območjih razmika. Posledično je mogoče goste črte in presledke 1:1 razrešiti simetrično do 0,5 μm, ne da bi pri tem prišlo do razpadanja ali premostitve.
3. TEHNIČNA IZBIRNA MATRICA: LEP-TEHNIČNA LITOGRAFIJA BREZ MASKE
Nice-Tech izdeluje štiri namenske litografske modele brez maske, od katerih je vsak zasnovan za posebne proizvodne domene in geometrijske profile. Spodnja tabela prikazuje uradne tehnične specifikacije:
=================================================================================================================
Model CD (izoliran) Najmanjša vrstica/presledek (1:1) Primarna optična domena Osredotočenost čistih prostorov
=================================================================================================================
MLM 100 0.8 μm 1,0 μm Balanced High-DOF Direct Write Splošne raziskave in razvoj, MEMS, mikrofluidika
MLM 200 0.4 μm 0,8 μm Fine{2}}Spot Sub{3}}Micron Delivery GaN/GaAs RF, Power HEMT, Waveguides
MLM 400 1.0μm 2,0 μm Wide-Field High-Throughput Engine Thick Resist, Packaging RDL, Power ICs
MLM 500 0.5 μm 0,5 μm High-NA Symmetric Contrast Engine Dense Optical Gratings, MEA, Crystals
=================================================================================================================
3.1 Nice-Tech MLM 100: The Cleanroom Workhorse (CD: 0,8 μm|L/S: 1,0 μm)
MLM 100 je zasnovan kot vsestranska hrbtenica za več-uporabniške univerzitetne nanofabrikacijske centre, industrijske laboratorije za raziskave in razvoj ter prototipne objekte MEMS.
• Geometrijski profil: Zanesljivo loči izolirane značilnosti do 0,8 μm in goste periodične črte do 1,0 μm.
• Optične lastnosti: Deluje z optično numerično odprtino, optimizirano za široko širino procesa. Zagotavlja izdatno globino ostrenja (DOF običajno > 5 μm do 10 μm, odvisno od debeline upora), zaradi česar prizanese topografijo površine podlage in rahel lok rezina.
• Združljivost postopka: Združljivo s standardnimi novolačnimi fotorezisti pozitivnimi i-/h-linijami (kot so AZ 1500, AZ 4562, serija Shipley S1800) in negativnimi upornimi pastami (SU-8, KMPR).
• Tipične uporabe: mikrofluidni pretočni kanali, biomedicinski mikročipi, konzolni merilniki pospeška, akustični resonatorji in standardne testne strukture-na ravni rezin.
• Priporočilo za nabavo: izberite MLM 100, če vaša čista soba obravnava različne projekte, obdeluje zmerne debeline uporov (1,5 μm do 5 μm) in ne potrebuje pod-pol-mikronskih velikosti elementov.
3.2 Nice{1}}Tech MLM 200: Natančnost za pod-mikronske naprave (CD: 0,4 μm|L/S: 0,8 μm)
MLM 200 je namensko-zgrajen za čiste prostore, ki proizvajajo visoko-frekvenčne, sestavljene polprevodniške in natančne optoelektronske naprave, kjer so pod-mikronske izolirane lastnosti najpomembnejše.
• Geometrijski profil: Doseže kritično dimenzijo 0,4 μm za izolirane linije, vrata in kontaktne trakove, z zmožnostjo gosto linijo/prostor pri 0,8 μm.
• Optične značilnosti: uporablja specializirano optiko za-oblikovanje snopa in natančen nadzor odmerka izpostavljenosti za izostritev robnega kontrasta na izoliranih strukturah.
• Združljivost postopka: deluje izjemno s tankimi, visoko{0}}kontrastnimi fotorezisti (debeline od 0,5 μm do 1,2 μm), kot so AZ 6112, AZ 703 ali SPR 700. Zahteva strožji nadzor ostrenja kot MLM 100.
• Tipične uporabe: vzorčenje T-vrat in gobastih vrat za naprave HEMT iz galijevega nitrida (GaN) in galijevega arzenida (GaAs), visoko{1}}hitri fotodetektorji, usmerjanje optičnega valovoda in pod-mikronske izolirane kovinske d-strukture.
• Priporočilo za nabavo: izberite MLM 200, če vaš proces zahteva vzorčenje kritičnih izoliranih vrat ali linij med 0,4 μm in 0,8 μm brez potrebe po gostih periodičnih nizih pod 0,8 μm.
3.3 Nice{1}}Tech MLM 400: Visoka{3}}prepustnost in debela-odporna obdelava (CD: 1,0 μm|L/S: 2,0 μm)
MLM 400 je prilagojen objektom, ki dajejo prednost pretoku osvetlitve, obdelavi velikih-površin in združljivosti z ultra-debelimi fotorezisti.
• Geometrijski profil: konfiguriran za 1,0 μm izoliran CD in 2,0 μm najmanjšo črto/presledek.
• Optične lastnosti: uporablja večje optično projekcijsko polje in visoko-globino--ostrenja optičnega niza. Razširjena DOF (pogosto > 20 μm do 50 μm pri debelih upornih pastah) zagotavlja, da svetloba prodre globoko skozi debele filme brez poslabšanja stranskih kotov.
• Prednost prepustnosti: Ker vsak optični okvir pokriva širše območje osvetlitve, so zapisovalni časi rezin znatno hitrejši kot pri orodjih za fino-ločljivost. Osvetlitev polne 100 mm ali 150 mm rezine na MLM 400 se lahko izvede v delčku časa, ki ga zahtevajo pod-mikronski sistemi.
• Združljivost postopka: idealno za debelo{0}}plastne fotoreziste (10 μm do 100 μm SU-8, AZ 4562, AZ 9260, polimid, BCB).
• Tipične aplikacije: Napredne plasti za prerazporeditev pakiranja (RDL), pakiranje na ravni rezin (WLCSP), visoko{1}}tokovne polprevodniške zbiralke, mikrofluidni glavni kalupi, debeli kalupi za galvanizacijo in mikroobdelovani MEMS v razsutem stanju.
• Priporočilo za nabavo: izberite MLM 400, če so vaše lastnosti večje od ali enake 1,0 μm, če vaš proces uporablja debele uporne premaze ali če je visoka prepustnost rezin vaša glavna komercialna prednostna naloga.
3.4 Nice-Tech MLM 500: simetrična ločljivost visoke{3}}gostote (CD: 0,5 μm|L/S: 0,5 μm)
MLM 500 je vodilni sistem Nice-Tech za zahtevno izdelavo mikro-optičnih, fotonskih in gostih periodičnih senzorjev.
• Geometrijski profil: Zagotavlja uravnotežen 0,5 μm izolirani CD skupaj z 0,5 μm gosto črto/presledek 1:1 (1,0 μm polni korak rešetke).
• Optične značilnosti: združuje visoko-NA projekcijsko optiko z napredno digitalno mikrozrcalno modulacijo in pod-interpolacijo robov slikovnih pik. Ta sistem zavira stranske-lobe difrakcije in preprečuje kopičenje razpršene svetlobe v ozkih jarkih.
• Združljivost s procesom: Zahteva strog nadzor temperature čistih prostorov (±0,5 stopinj) in tanke visoko-kontrastne uporne plasti (0,3 μm do 0,8 μm).
• Tipične uporabe: pod-mikronske uklonske rešetke, optični metamateriali, fotonski kristalni valovod, pretvorniki gostih površinskih zvočnih valov (SAW), interdigitalni biosenzorji in nizi mikroelektrod (MEA).
• Priporočilo za nabavo: izberite MLM 500, če se arhitektura vaše naprave v veliki meri opira na goste, tesno zapakirane periodične strukture v velikosti pol-mikrona.
4. IZPELJANE INŽENIRSKE TRADE{1}}OFFS: HITROST, DOF IN PORAVNAVANJE
Pri izbiri med MLM 100, 200, 400 in 500 morajo inženirji upoštevati tudi tri kritične sekundarne parametre, ki neposredno vplivajo na vsakodnevno delovanje čistih prostorov:
4.1 Hitrost osvetlitve (prepustnost) v primerjavi z ločljivostjo
V katerem koli-orodju za litografijo z neposrednim pisanjem je temeljna fizična{1}}kompromisnost med hitrostjo osvetlitve in optično ločljivostjo:
• Fina ločljivost (kot pri MLM 200 in MLM 500) zahteva manjšo projicirano velikost slikovnih pik in večjo povečavo, kar pomeni, da je izpostavljenih manj kvadratnih milimetrov rezine na sekundo za določeno moč svetlobnega vira.
• Sproščena ločljivost (kot pri MLM 400) uporablja večje projicirane slikovne pike, ki pokrivajo večja območja osvetlitve na digitalno bliskavico in dramatično povečajo prepustnost rezin.
Praktično pravilo: Nikoli ne kupujte večje ločljivosti, kot zahteva arhitektura vaše naprave. Če je vaša najbolj napeta kovinska črta 2,5 μm, bo izbira orodja 0,4 μm po nepotrebnem podaljšala čas izpostavljenosti z minut na ure na rezino.
4.2 Globina fokusa (DOF) in debelina upora
Rayleighova enačba globine fokusa ureja vse projekcijske sisteme:
DOF=k₂ × λ / (NA)²
Upoštevajte, da se DOF zmanjšuje s kvadratom numerične aperture. Objektiv z visoko-NA, ki je potreben za ločljivost pod-pol-mikrona, daje ozko globino ostrenja (pogosto < 1,5 μm). Če inženir poskuša zavrteti 15 μm debel upor SU-8 na orodju z visokim NA, je lahko zgornji del upora izostren, spodnji del pa postane močno zamegljen, zaradi česar so spodrezane ali nagnjene stranske stene.
• For thick resists (>10 μm): MLM 400 zagotavlja potrebno globino ostrenja.
• Za standardne uporne plasti (1,5 μm do 5 μm): MLM 100 zagotavlja optimalno ravnovesje ločljivosti in DOF.
• Za ultra-tanke upornike (< 1.0 μm): The MLM 200 and MLM 500 excel at fine line delineation.
4.3 Poravnava-plasti-plasti in natančnost prekrivanja
Orodje za litografijo redko deluje samostojno; oblikuje plasti na vrhu predhodno jedkanih ali metaliziranih struktur.
• Zgornja optična poravnava: vsi modeli Nice-Tech MLM so opremljeni z visoko{1}}ločljivostnimi-vizijskimi kamerami, ki so zmožne samodejnega prepoznavanja referenčnih oznak in dosegajo--natančnost prekrivanja med plastmi, običajno v območju od ±0,5 μm do ±0,2 μm.
• Poravnava zadnje strani: bistvenega pomena za MEMS skozi-votle rezine, tlačne senzorje in prehode napajalnih naprav. Povprašajte o konfiguracijah prenosne infrardeče (IR) ali spodnje-stranske optične kamere, če vaš postopek zahteva dvostransko-registracijo.
4.4 Vsestranskost substrata in prednosti brez maske
Za razliko od togih poravnalnikov kontaktov ali redukcijskih steperjev, ki zahtevajo standardizirane ploščate-podlage, sistemi Nice-Tech brez maske zagotavljajo univerzalno združljivost s podlagami:
• Velikosti substrata: polne rezine (2-palčni, 4-palčni, 6-palčni, 8-palčni in 12-palčni) kot tudi nepravilno odcepljeni fragmenti matrice (do 5 mm × 5 mm).
• Materiali podlage: standardni silicij, prozoren staljen silicijev dioksid, kremen, steklo, galijev nitrid (GaN), silicijev karbid (SiC), galijev arzenid (GaAs), litijev niobat in fleksibilni polimerni substrati.
• Dinamično samodejno ostrenje:-optično površinsko sledenje v realnem času samodejno kompenzira napako loka in klina substrata, kar zagotavlja dosledno ostrenje na deformiranih sestavljenih polprevodniških rezinah.
5. TESTIRANJE VZORCEV VAFELJ IN MEROSLOVNO PREVERJANJE SEM
Pred zaključkom nakupa osnovne opreme se tehnični kupci nikoli ne smejo zanašati samo na objavljene specifikacijske liste. Pogoji čistih prostorov, formulacije rezistov in kemija razvijalcev se med objekti zelo razlikujejo.
Nice-Tech močno spodbuja bodoče stranke, da pred izdajo naročila opravijo testiranje izpostavljenosti vzorcu rezin. Protokol preverjanja bi moral ovrednotiti pet osnovnih meroslovnih parametrov z uporabo vrstične elektronske mikroskopije (SEM):
1. Kritična dimenzijska enakomernost (CDU 3σ): Izmerite ciljni CD na najmanj 20 točkah po rezini (sredina, sredina, rob), da zagotovite, da je dimenzijska varianca znotraj ±5 %.
2. Razdalja med gosto črto/prostorom: preverite s-prečnim SEM, da v gostih jarkih 1:1 ni pene, mikro-premostitev ali podlage-stojnih valov.
3. Kot stranske stene: Prepričajte se, da profili stranskih sten fotoodpornega materiala presegajo 85 stopinj (ali se ujemajo z zahtevami vašega postopka, kot so retrogradni profili s spodrezom za dvig-off).
4. Hrapavost robov črte (LER) in hrapavost širine črte (LWR): preglejte SEM slike zgoraj-dol z visoko-povečavo, da preverite gladke robove črt, ki so kritični za izgubo fotonskega valovoda in delovanje RF vrat.
5. Natančnost prekrivanja: Vzorec testne lestvice z noniusom nad -že obstoječo poravnalno plastjo preverite ponovljivost registracije po celotnem območju substrata.
6. KONTROLNI SEZNAM PRE-NAROČANJA: KAJ PRIPRAVITI, PREDEN ZAHTEVATE ZA PONUDBO
Če želite prejeti natančno, prilagojeno ponudbo in konfiguracijo opreme od Nice-Tech, nabavne in procesne ekipe morajo pripraviti naslednji tehnični kontrolni seznam:
[ 1 ] . Specifikacija ciljnega substrata:
• Material: silicij, kremen, safir, GaN, SiC, steklo ali drugo.
• Format: premer rezin (npr. 4-palčni, 6-palčni, 8-palčni) ali majhni odcepljeni odrezki (npr. 10 mm × 10 mm).
• Površinsko stanje: polirano, metalizirano, prozorno ali upognjeno (navedite lok v mikrometrih).
[ 2 ] . Zahteve glede geometrije funkcij:
• Najmanjša kritična dimenzija (izolirana linija, vrata ali kontaktna luknja).
• Najmanjša vrstica/presledek (zahteva za naklon gostega polja).
• Toleranca kritične plasti (npr. ciljni CD ± 5%).
[ 3 ] . Postopek fotorezista:
• Vrsta fotorezista: pozitiven, negativen ali dvojni-ton.
• Ime fotorezista: (npr. AZ 5214E, SU-8 2010, Shipley S1813).
• Ciljna debelina filma: (npr. 0,8 μm, 2,5 μm, 25 μm).
[ 4 ] . Zahteve za poravnavo in plastenje:
• Enoplastna izpostavljenost ali-večplastna registracija.
• Metoda poravnave: zgornja optična ali zadnja infrardeča (IR).
• Natančnost prekrivanja tarče: (npr. < 0,5 μm).
[ 5 ] . Pretok in obseg proizvodnje:
• Pričakovana količina rezin: (npr. 5 rezin/teden za raziskave in razvoj proti . 50 rezinam/dan za pilotno proizvodnjo).
• Zahteva za avtomatizacijo: ročno nalaganje medija ali polavtomatsko ravnanje s kasetami.
[ 6 ] . Format podatkov postavitve:
• Pripravljene standardne oblikovne datoteke: GDSII, OASIS, DXF ali CIF.
7. ZAKLJUČEK IN NASLEDNJI KORAKI: PARTNERSTVO Z NICE-TECH
Izbira pravega sistema litografije brez maske zahteva uravnoteženje izoliranega CD-ja, goste črte/prostora, globine fokusa, debeline upora in hitrosti izdelave.
• Če vaša čista soba potrebuje-vlečnega konja za raziskave in razvoj, MLM 100 zagotavlja neprekosljivo vsestranskost in procesno širino.
• Če se osredotočate na pod-mikronske izolirane funkcije za RF in močnostno elektroniko, MLM 200 zagotavlja 0,4 μm natančnost CD-ja.
• Če vaš obrat uporablja debele upore, napredno embalažo ali zahteva največjo zmogljivost, je MLM 400 industrijski standard.
• Če vaše aplikacije zahtevajo tesne 0,5 μm goste periodične nize 1:1, rešetke ali fotonske strukture, MLM 500 zagotavlja simetrično optično odličnost.
Ste pripravljeni oceniti svoje dizajne na Nice-Tech Maskless Lithography System?
Obiščite uradno stran izdelka Nice-Tech in raziščite podrobne specifikacije stroja:
Obrnite se na našo višjo inženirsko skupino za aplikacije na dmjsemi.com, da predložite svoje testne vzorce CAD/GDSII za brezplačno izpostavljenost vzorcu rezin in meroslovni pregled SEM. Konfigurirali bomo predlog opreme, zasnovan posebej za tehnični in proračunski načrt vaše čiste sobe.
